Category Archives: Оперативная память

Память Samsung DDR 400 DIMM 512Mb

DSCN1775 DSCN1779

Общие характеристики

Тип памяти
DDR 
Форм-фактор
DIMM 184-контактный 
Тактовая частота
400 МГц 
Пропускная способность
3200 Мб/с 
Объем
1 модуль 512 Мб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Память Kingston KVR400X64C3A/1G

DSCN1819 DSCN1821

Общие характеристики

Тип памяти
DDR 
Форм-фактор
DIMM 184-контактный 
Тактовая частота
400 МГц 
Пропускная способность
3200 Мб/с 
Объем
1 модуль 1 Гб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка 
Напряжение питания
2.6 В 
Дополнительная информация
Позолоченные контакты. 

Память Samsung DDR2 533 DIMM 512Mb

DSCN1758 DSCN1759

Общие характеристики

Тип памяти
DDR2 
Форм-фактор
DIMM 240-контактный 
Тактовая частота
533 МГц 
Пропускная способность
4200 Мб/с 
Объем
1 модуль 512 Мб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Дополнительно

Напряжение питания
1.8 В 

Память Kingmax DDR 400 DIMM 256 Mb

DSCN1830 DSCN1831

Общие характеристики

Тип памяти
DDR 
Форм-фактор
DIMM 184-контактный 
Тактовая частота
400 МГц 
Пропускная способность
3200 Мб/с 
Объем
1 модуль 256 Мб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Дополнительно

Напряжение питания
2.5 В